Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1957, H. 25 - Transistorn som omkopplare i pulskretsar, av Bengt Gunnar Magnusson - Världsproduktionen 1955 - En härdare för epoxiplast - Nya metoder - Bredbandigt, rundstrålande slitsantennsystem, av DH
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
transistorgrinden i stort sett är överlägsen
diodgrinden på samma sätt som i det
symmetriska fallet.
Litteratur
1. Moll, J L, Tannenbaum, M, Goldey, J M & Holonyak,
N: P-N-P-N transistor sivitches. Proc. IRE sept. 1956 s. 1174
—1182.
2. Suran, J J: Low-frequency circuit theory of the
double-base diode. Träns. IRE (grupp Electron Devices) april 1955
s. 40—48.
3. Salow, H & von Munch, W: tiber einen Schalttransistor
mit kurzen Sprungzeiten. Z. Angew. Ph. 1956 h. 3 s. 114
—119.
4. Miller, S L & Ebers, J J: Alloyed junction avalance
transistors. Bell Syst. Techn. J. sept. 1955 s. 883—902.
5. Ebers, J J & Miller, S L: Design of alloyed junction
germanium transistors for high-speed switching. Bell Syst.
Techn. J. juli 1955 s. 761—781.
6. Electronic Industries 1957 transistor specifications. El.
Ind. & Tele-Tech, dec. 1956 s. 53—58.
7. Ebers, J J & Moll, J L: Large-signal behavior of
junction transistors. Proc. IRE dec. 1954 s. 1761—1772.
8. Melbing, R: Undersökning av temperaturens inverkan
på skikttransistorers driftegenskaper. Transistorgruppen
KTH Tekn. Rapp. 31, juni 1955.
9. Markesjö, G & Gibson, J: Transistorn som
lågfrekvensförstärkare för små signaler. Transistorgruppen KTH Tekn.
Rapp 26, mars 1956 s. 41—49.
10. Moll, J L: Large-signal transient response of junction
transistors. Proc. IRE dec. 1954 s. 1773—1784.
11. Giacoletto, L J: Study of P-N-P alloy junction
transistor from D-C through medium frequencies. RCA Rev. dec.
1954 s. 506—562.
12. Braun, G: Common-emitter transistor video amplifiers.
Proc. IRE nov. 1956 s. 1561—1572.
13. L-5222 objective specification. Hole-storage test set.
Philco Tube Dev. Lab. febr. 1956.
14. Beter, R Ii, Bradley, W E, Brown, R H & Rubinoff,
M: Directly coupled transistor circuits. IRE Conv. Rec. 1955
del 4 s. 139—145.
15. Philco semiconductor application nötes, 2N240. Philco
Corp. Lansdale 1956.
16. Suran, J J & Reibert, F A: Two-terminal analysis and
synthesis of junction transistor multivibrators. Träns. IRE
(grupp Circuit Theory) mars 1956 s. 26—38.
17. Linvill, J G: Nonsaturating pulse circuit using two
junction transistors. Proc. IRE juli 1955 s. 826—834.
18. Pederson, D O: Regeneration analysis of junction
transistor multivibrators. Träns. IRE (grupp Circuit Theory)
juni 1955 s. 171—178.
19. Linvill, J G & Mattson, R H: Junction transistor
block-ing oscillators. Proc. IRE nov. 1955 s. 1632—1639.
20. Bright, R L: Junction transistors used as switches.
Träns IEE, Communications & Electronics mars 1956 s. 111
—121.
21. Shockley, W, Sparks, M & Teal, G K: P-N-junction
transistors. Phys. Rev., 1951 s. 151.
22. Joel A E Jr: An experimental remote controlled line
concentrator. Bell Syst. Techn. J. mars 1956 s. 249—293.
23. Westerberg, G: Transistorn som omkopplare i
pulskretsar. Transistorgruppen KTH Tekn. Rapp. 30, juni 1956.
Världsproduktionen 1955. Industrier och gruvor
i världen (Sovjetunionen, Östeuropa och Kina ej
med) producerade i runt tal dubbelt så mycket som
något förkrigsår, järnvägarna transporterade
dubbelt så mycket fraktgods, sjötransporten var två
tredjedelar så stor, och över dubbelt så många
motorfordon som före kriget rullade på världens
landsvägar.
En härdare för epoxiplast är metaxylendiamin
som nu framställs i halvstor skala. Den bör också
kunna användas som råvara för högmolekylära
polyamider och för diisocvanat vid tillverkning av
polyuretaner.
nya metoder
Bredbandigt, rundstrålande
slitsantennsystem
Vid konstruktion av ett antennsystem med cirkulärt
strålningsdiagram i polarisationsplanet kan det ofta
vara lämpligt att tillgripa slitsantenner, som
placeras axiellt kring periferin av en cirkulär
cylinder. Erforderligt antal antennelement kan beräknas
med hänsyn till cylinderdiameter D och våglängd A.
Vid likfasig matning av t.ex. åtta antenner måste
DlA vara större eller minst lika med 1,8 för att
fältstyrkan i olika riktningar i polarisationsplanet inte
skall variera mer än ca 3 dB.
Om antennsystemet skall fungera över ett brett
frekvensband måste i första hand antennelementet
utföras bredbandigt. För hopkoppling av
antennerna användes sedan ett system som i minsta möjliga
grad inskränker bandbredden. En känd, bredbandig
slitsantennkonstruktion är i princip utförd enligt
fig. 1 t. v.
För att underlätta hopkopplingen av antennerna
har deras utförande modifierats, fig. 1 t.h.
Matningen har inverterats, så att matningsledningen kunnat
förläggas i antennens mittledare. Modifieringen
inskränker inte antennelementets bandbredd.
Stående-våg-förhållandet är mindre än 2 inom
frekvens-svinget it 25 °/o.
Hopkopplingen av de enskilda antennelementen
utföres lämpligen så att antennerna och erhållna
förgreningspunkter sammanförs parvis. Genom att
slitsantennerna enligt fig. 1 t.h. matas från kavitetens
ena gavel kan man lägga alla matningspunkter lätt
tillgängliga i ett plan, där hopkopplingen kan ske
med cirkulärt lagda ledningar. Man kan därigenom
undvika att inkräkta på ett område kring cylinderns
centrum, vilket är av speciell vikt för ett mastburet
antennsystem. För att öka direktiviteten kan flera
antennringar staplas på varandra, varvid dessa
Fig. 1. Bredbandigt, rundstrålande slitsantennsystem
i form au en cirkulärledande cylinder; t.v. enligt
tidigare system, t.h. enligt modifierat system.
TEKNISK TIDSKRIFT 1957 5 77
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
