- Project Runeberg -  Teknisk Tidskrift / Årgång 89. 1959 /
627

(1871-1962)
Table of Contents / Innehåll | << Previous | Next >>
  Project Runeberg | Catalog | Recent Changes | Donate | Comments? |   

Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1959, H. 24 - Nya metoder - En transistor för låg temperatur, av J-R Törnquist - Exotermiskt material för värmebehandling av svetsar, av SHl - Strömlös förgyllning, av SHl

scanned image

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Below is the raw OCR text from the above scanned image. Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan. Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!

This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.

Fig. 2. Förenklad krets för en
korngränstransistor.

Fig. 1. Dragning av en tvåkristall med
två noggrant orienterade
moderkristaller. Transistorer erhålls genom
snitt-ning av tunna skivor vinkelrätt mot
dragningsriktningen.

En transistor för låg temperatur

Laddningsbärarnas rörlighet i halvledare minskar
med sjunkande temperatur. Detta utgör en allvarlig
begränsning, då man önskar driva transistorer vid
extremt låg temperatur, t.ex. i utrustningar för
in-terplanetariska farkoster.

En ny typ av transistorer för arbetstemperaturer
ned till 2°K, kallade korngränstransistorer ("grain
boundary transistors") har utvecklats i USA.
Transistorn är av en odlad typ (Tekn. T. 1953 s. 935;
1956 s. 921), och dess verkan bygger på ytfenomen
i gränsskiktet mellan de båda kristallerna i en
tvåkristall av t.ex. n-germanium. Tvåkristallen dras ur
en smälta med två moderkristaller, vilka före
dragningen måste orienteras med hänsyn till sina
kristallaxlar, fig. 1.

Om kristallen är av n-germanium, får gränsskiktet
p-karaktär. Samma förhållande erhålles med
kisel-kristaller. I gränsskiktet utbildas fällor, som fångar
upp och kvarhåller elektroner. Dessa efterlämnar

joniserade donatorer, fasta positiva laddningar, på
båda sidor om gränsskiktet (gäller n-germanium).
Potentialvariationerna i gränsområdet får således
samma utseende som i en konventionell
n-p-n-struktur.

En väsentlig egenskap säges vara, att
ledningsförmågan hos gränsskiktet är oberoende av
föroreningshalten i kristallerna och som en följd därav också
av temperaturen. En styrsignal, som varierar
inträngningsdjupet för strömmen genom gränsskiktet,
ger möjlighet till förstärkning, fig. 2 och 3.
Gränsskiktet uppvisar vidare fotoelektriska egenskaper,
som i vissa fall kan få teknisk användning
(Electronics 23 jan. 1959 s. 34—35). J-R Törnquist

Exotermiskt material för värmebehandling av
svetsar

Vid svetsning av rör av krom-molybdenstål med låg
kromhalt, t.ex. 5 °/o Cr, 0,5 %> Mo med passande
svetstråd, blir svetsarna och den värmepåverkade
zonen spröda. De måste därför värmebehandlas på
platsen varvid man vanligen använder elektrisk
motståndsupphettning eller induktionsupphettning.
Dessa metoder är ofta dyrbara och tidsödande då
bara ett begränsat antal svetsar kan behandlas
samtidigt.

Man har emellertid nu gjort ett exotermiskt
material, huvudsakligen bestående av aluminiumpulver,
metalloxider, eldfast material och bindemedel, som
uppges vara ekonomiskt i användning. Materialet
liknar keramik och utnyttjas i form av stela,
halvcylindriska stycken som passar till röret. Det kan
tändas med en syrgas-acetylenlåga och brinner med
relativt liten hastighet.

Halvcylindrarna placeras över svetsen, och röret
isoleras på båda sidor om dem. Därefter täcks de
med eldfast isolering. Efter förbränningen får det
hela svalna innan isoleringen avlägsnas (Engineers’
Digest mars 1959 s. 104). SHl

Strömlös förgyllning

En ny förgyllningsprocess, som utnyttjas vid
tillverkning av elektronikdelar, fordrar ingen elström
eller speciell apparatur. De delar, som skall
förgyllas, doppas ned i ett bad varvid de beläggs med
ett skikt av rent guld, som lär vara tätare och
håll-barare än det som erhålls vid elektrolytisk
förgyllning.

Metoden är grundad på en cementeringsprocess
vid vilken grundmetall går i lösning medan guld
fälls ut. Det uppges att guldskikt med upp till 0,25 |x
tjocklek kan fällas ut på de flesta metaller. Skiktet
blir tunnare och tätare än ett elektrolytiskt utfällt
och sägs göra samma tjänst som ett sådant med
35 o/o lägre guldförbrukning.

Andra fördelar, som är utmärkande för
cemente-ringsprocesser, är badets utmärkta
spridningsförmåga, varigenom det utfällda skiktet blir jämntjockt
även i fördjupningar och inuti rör. Då vidare guldet
automatiskt binds vid grundmetallen, får skiktet
bättre adhesion än ett elektrolytiskt utfällt. Allt guld
i badet kan utnyttjas varför använd lösning kan
kastas; dess sammansättning behöver inte
kontrolleras genom analys.

Enligt uppgift kan metoden användas vid
förgyllning av koppar, kopparlegeringar, kadmium, zink,
nickel, stål, Monel, Woods metall, nysilver, kobolt
och vismutlegeringar. Beläggningens tjocklek beror
på behandlingstiden, grundmetallens art och
badtemperaturen. Tyvärr meddelas inte badets
sammansättning (Engineers’ Digest jan. 1959 s. 2). SHl

TEKNISK TIDSKRIFT 1 959 627

ig. 3.
Utgångs-arakteristik för
n
korngräns-ansistor; be-’ckningar enl.

g. 2.

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Project Runeberg, Fri Oct 18 15:55:45 2024 (aronsson) (download) << Previous Next >>
https://runeberg.org/tektid/1959/0651.html

Valid HTML 4.0! All our files are DRM-free