Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Halvledarkomponenter, av Per Olof Leine och Gunnar Markesjö
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Termisk konduktans
mW/t
to MHz
Gränsfrekvens
legerade
Fig. 17. Efjekt-frekvens-diagram för––diffunderade, —
transistorer, o kisel- och x germaniumtransistorer; typbeteckning
ovanför streck avser pnp-, under streck npn-transistor.
ledarkristall uppvisar därför en fotoledande
effekt.
Diodkurvan för en pn-övergång ändrar form
vid stigande temperatur, fig. 4, backströmmen
ökar och framspänningen minskar. Detta
beror på att I0 ökar på grund av den termiska
alstringen av bärare.
Om ena skiktet av en pn-diod belyses kommer
alstringen av bärare att öka på denna sida,
medan den förblir oförändrad på den andra.
Härvid ökar minoritetsbärarna avsevärt mer
relativt sett än majoritetsbärarna. Följden blir
en vertikalförskjutning av diodkurvan så att
den ej längre går genom origo. Förspänd i
backriktning kan pn-övergången användas som
ett fotoledande element och med högohmig
belastning även som ett fotoelektromotoriskt
element.
Enligt ekvation (19) kommer den termiska
backströmmen — och därmed även
fotoströmmen — att förstärkas vid GE-koppling. Denna
princip utnyttjas i fototransistorn, som kan
sägas vara en kombination av en fotokänslig
pn-övergång och ett förstärkarsteg.
Negativ-impedanselement
Med negativ-impedanselement kan vissa
kretsfunktioner göras mycket kompakta. Det har
varit förenat med stora svårigheter att ge
elementen väl definierade kantringspunkter
("turn over points"); så t.ex. synes ej
lavineffekten kunna utnyttjas med större framgång
— delvis beroende på åldringsegenskaper. Det
finns dock mycket att vinna med
negativ-impedanselement och speciellt är här två
faktorer av betydelse. Vid normala transistorer har
det visat sig svårt att komma upp till höga
totalströmmar, i huvudsak beroende på att
strömfördelningen blir ojämn över stora
emit-terytor. Vidare har basmotståndet begränsat
switchhastigheten i normala transistorer. I
negativ-impedanselement ligger drivningen av
basen så att säga direkt inuti elementet.
Användningen av negativ-impedanselement
ligger huvudsakligen inom klass D (Tekn. T.
1960 s. 98). Två speciella typer av styrda
nega-tivimpedanselement tilldrar sig största intresse:
styrda likriktare och tyristorer
(nomenklaturen är ej här fastlagd). Båda typerna har i
huvudsak tyratronkaraktär, med en mycket låg
brinnspänning, snabbt tillslag och
förhållandevis lång "avjoniseringstid" (bör här betecknas
avladdningstid). Båda elementen har
fyrlager-struktur, men den inre
återkopplingsmekanismen är helt olika i de båda fallen.
Styrda likriktare
Den styrda likriktaren består av fyra skikt
pnpn och kan representeras av två
sammankopplade transistorer, fig. 18. Då endast
läck-strömmarna genomflyter elementet, är
re-kombinationsfaktorerna och 8t höga. ökas
kollektorspänningen över ett tröskelvärde, eller
injiceras en laddningsmängd -Q i basen, ökar
strömmen och på grund av olineariteter
avtager 81 och <53. De lägre värdena på S, och ös
medför ytterligare strömökning osv. i ett
regenerativt förlopp, och den styrda likriktaren
tänder, fig. 19. Den styrda likriktaren leder
mycket kraftiga strömmar vid mycket små
spänningsfall. För vissa typer kan
toppströmmar av hundratals ampere tillåtas.
Den styrda likriktaren släcks genom att
strömmen bringas till noll ■— på grund av det höga
basmotståndet kan den ej släckas med en puls
på basen. Om ren likström utnyttjas som
effektkälla, blir släckanordningarna komplicerade.
Är däremot effektkällan en pulserande
likspänning, eller en ren växelspänning, släcks
elementet automatiskt.
Den styrda likriktaren är högimpediv i
backriktningen, fig. 20.
Fig. 18. Den
styrda
likriktaren (t.v) kan
representeras av
två transistorer
(th.).
Fig. 19. Karakteristiska kurvor för styrd likriktare.
117 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
