Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Linjära förstärkare med transistorer, av Ragnar Forshufvud och Per Olof Leine
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
lisering ej utföres, uppstår svårigheter vid
trimningen och ofta blir selektionskurvan
sned.
Det finns ett mycket stort antal tänkbara
neutraliseringsnät. Beräkningen av näten är
enkel; man använder samma metod som vid
beräkning av bryggbalans. I många fall anger
dock ej fabrikanten erforderliga data med
tillräcklig noggrannhet, och ett provsteg måste
då byggas.
I praktiken kan en fullständig neutralisering
ej utföras, på grund av komponenternas
spridning. I vissa fall måste man avsiktligt
reducera förstärkningen så att stegen blir
reproducerbara.
Efter neutraliseringen representeras
transistorn av en viss branthet, samt viss in- och
ut-admittans. De reaktiva delarna i dessa
admittanser får bortstämmas av
svängningskretsarna. De aktiva delarna kommer att minska
godhetstalen hos anslutna kretsar.
Som exempel på detta kan tagas ett
mellanfrekvens-steg med mittfrekvensen 450 kHz och
med bandbredden ± 4,5 kHz. Godhetstalet vid
belastning skall då vara Qbei = 450/4,5 = 100.
Ett högt Qo är fördelaktigt, emedan
svängningskretsen stjäl energi, och man vill utnyttja
så mycket som möjligt av den tillgängliga
energin för styrning av efterföljande transistor.
Det bästa resultatet med avseende på
effektöverföringen erhålles om de båda
transistorerna, som är anslutna till svängningskretsen,
belastar denna lika. Svängningskretsens
optimala verkningsgrad kan tecknas:
l]max
(22)
vilket med de givna siffervärdena ger
Vmax = 0,25, dvs. av den tillgängliga effekten
från föregående steg tillgodogöres endast 25 %
i efterföljande steg.
Har transistorn vid aktuell frekvens en
inad-mittans av </u = (1 + 4j) • 10~3 ohm"1 och en
utadmittans av gs = (0,02 + 0,01j) • 10"= ohm"1
kommer de reaktiva delarna att ingå i
avstämningen och förorsakar endast en liten ändring
i avstämningskapacitanserna. Villkoret att de
aktiva delarna i admittanserna skall belasta
kretsen lika, ger omedelbart
varvtalsomsättningen kollektor/bas njn2 = \j’gu/gz, = v’50 7.
Som en parentes kan nämnas att
neutraliseringsnätet, fig. 27, blir optimalt om det får
löpa mellan basuttaget tillbaka till
föregående transistors bas — streckat i fig. 28. Detta
är dock ett synnerligen okritiskt maximum.
Om transistorn har en branthet [ y,, | = 0,04
ohm"1, blir effektförstärkningen F i steget:
i g» r
4011922
= 2 • 104 = 43 dB
(24)
men på grund av effektförlusten i
avstämningen blir den totala förstärkningen 6 dB lägre,
dvs. 37 dB.
Beräkningen av de selektiva kretsarna är i
övrigt identisk med motsvarande för rör. Ur
effektivitetssynpunkt är det dock förmånligt
i
rK
9bel
I I
V
i
cbe
’be [-Miller-effekt-]
{+Miller-
effekt+}
CbcM
Jut
[9mUbe
Fig. 26. Miller-effekt i transistorer.
att koncentrera selektionsfiltren, om branta
flanker önskas.
Mätmetoder
I detta avsnitt kommer de enklaste
mätningarna på transistorn att beskrivas, dvs. endast
sådana som fordras för att avgöra om
elementet är funktionsdugligt eller ej.
Strömförstärkning
Enligt vad som tidigare sagts är brantheten
en storhet som är lika för alla transistorer
och den är således inget känsligt mått på
elementets tillstånd.
Strömförstärkningsfak-torn htÆ, resp. strömförstärkningsfaktorn för
små signaler hne = <5_1 är däremot en känslig
storhet, som indikerar elementets
användbarhet. Lättast är här att mäta h„fig. 30.
Basströmmen matas över en högimpediv dekad
från en spänningskälla, x voit. Injusteras
kol-lektorströmmen till samma talvärde x
milliampére, kan huE avläsas direkt på dekaden.
Motståndet i kollektorkretsen, fig. 29,
begränsar den tillgängliga effekten från
kollektor-matningsbatteriet, så att transistorn skyddas
för överhettning. Detta motstånd måste
avpassas efter den valda kollektorströmmen och
den effektförlust transistorn tål. I den
skisserade mätmetoden försummas inverkan av
kollektorns läckström, men det fel, som man här
begår, är litet, om basströmmen väljes stor i
förhållande till denna läckström.
Strömförstärkningsfaktorn huE har ett visst
spänningsberoende, normalt dock ej speciellt
utpräglat. För att uppvärmningen av
transistorn ej skall bli för stor bör
kollektorspän-ningen vid mätningen väljas låg. Man bör dock
uppmärksamma att fabrikantens garantivär-
U;„-0
Fig. 27. En variant av neutraliseringskrets; Cn och
Rn skall väljas sd att 11 Ui — 0, dä steget pdtrijckes
en signal Uut-
108 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
