Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Linjära förstärkare med transistorer, av Ragnar Forshufvud och Per Olof Leine
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Maximalström
Avsikten med de maximala strömvärden som
tillverkaren ger kan vara olika, beroende på
användningsområdet. Vid en transistor för
linjär förstärkning skall
strömförstärkningsfak-torn inom det tillåtna strömområdet ej variera
så mycket att besvärande distorsion
uppträder. Vid transistorer för switchändamål
däremot är kravet i regel endast att
strömförstärkningen skall liålla sig ovanför ett visst
minimivärde. Användaren skall också
tillförsäkras en rimlig livslängd, om han inte
överskrider gränsvärdet.
Man bör vara medveten om att orsaken till
att fabrikanten satt en viss maximal ström
kan vara lättja; exempelvis då transistorn är
avsedd för mellanfrekvenssteg och
fabrikanten ansett att det aldrig kan bli aktuellt att
använda högre ström än 10 mA. Han kan då
sätta gränsvärdet 10 mA och bespara sig
dyrbara livslängdsprov.
Maximaltemperatur
I fråga om temperatur är det som regel
huvudsakligen livslängden som är den mest
betydelsefulla faktorn. Man bör vara medveten onx
att fabrikanten inte brukar garantera att
transistoregenskaperna håller sig någorlunda
konstanta inom det angivna
temperaturintervallet. Termisk stabilitet och liknande
problem anses sålunda vara användarens
huvudvärk. I bästa fall anger man kurvor över
temperaturberoendet.
Maximal effektförlust
Det rätta sättet att ånge maximal tillåten
effektförlust är att ånge maximalt tillåten
kristalltemperatur ("junction temperature")
och transistorns termiska resistans. Ibland
anges i stället den maximala effektförlusten i
mW vid en viss omgivningstemperatur. Detta
måste anses mindre lämpligt, eftersom
kristalltemperaturen på grund av sitt avgörande
inflytande på livslängd och felfrekvens är
användarens angelägenhet i allra högsta grad.
Elektriska egenskaper
Då kassationsprocenten för
halvledarproduk-ter fortfarande är mycket hög, måste
fabrikanterna göra många mätningar på produkten.
Kostnaden för mätningar utgör en mycket
betydande del av de totala
tillverkningskostnaderna. Det förekommer fall, där fabrikanten
av sparsamhetsskäl ersätter mätning av
exempelvis ströinförstärkningsfaktorn med en
mätning av den övre gränsfrekvensen. I sådana
fall är det givetvis mycket svårt att definiera
några absoluta spridningsgränser för
strömförstärkningen. Fördelningskurvan kommer
att ha långa "svansar" åt ömse håll.
Även i de fall, där den aktuella storleken
verkligen mäts, finns det som regel enstaka
exemplar, som överskrider de givna
kassa-tionsgränserna. Detta beror på åldring och
eventuellt på felmätningar. Orden "typical
production spread" är en typisk brasklapp,
110 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
Fig. 30. Instrumentlägen för läckströmsmätningar.
Normalt lKB0 1KR och lKR < IEB0, [Tekn. T. 1960
s. 85 ekv. (16)].
som anger, att fabrikanten reserverar sig för
att 5—10 % av transistorerna kan falla
utanför de angivna gränserna. Köparen bör alltid
vara beredd på obehagliga överraskningar, och
det är klokt att på förhand ta reda på vilka
toleransgränser som gäller som "customer’s
acceptance limits", dvs. på vilka grunder man
har möjlighet att returnera undermåliga
exemplar.
Ett bättre sätt att ånge spridningen är med
acceptansgränser i överensstämmelse med
amerikanska militära normer.
I många fall anges överhuvudtaget inte
några spridningsvärden. Detta gäller i stor
utsträckning om transistorer avsedda för
rundradiotillämpningar. Man kan inte grunda en
konstruktion, som är avsedd för
serieproduktion, på ett uppgivet medelvärde. Inte heller
kan man lita på att man genom att prova
ett hundratal olika transistorer i kopplingen
kan skaffa sig någon uppfattning om sprid-
Relaliv lä eks mm
to
Fig. 31. Den
relativa
låck-strömmen i
förhållande
till
läck-strömmen
vid 20°C för [-germanium-transistor.-]
{+germanium-
transistor.+}
Temperatur
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
