Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Transistorn i pulskretsar, av Gerhard Westerberg
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Uk
Fig. 4. Bottenspänningen Ujc som funktion av basströmmen Ib för olika
värden på kollektorströmmen lk- Kurvskaran gäller för en transistor
Philco typ SB100 körd dels "framlänges", dels "baklänges", dvs. med
den ordinarie emittern som kollektor.
transistor, beroende på spridningen i
strömförstärkning. Hos vissa transistortyper i
marknaden kan strömförstärkningen i olika exemplar
variera t.ex. mellan 10 och 100.
Transistorn som sluten kontakt
När man betraktar transistorn som sluten
kontakt är man intresserad av bottenspänningen
Uk, effektförstärkningen samt
effektutvecklingen i transistorn. I tillämpningar där
transistorn används som hackare av små
likspänningssignaler är man betjänt av en så låg
bottenspänning som möjligt. För en osymmetrisk
transistor erhålls vid viss belastning och
drivning lägre värden på bottenspänningen när
transistorn körs baklänges, dvs. med den
ordinarie emittern använd som kollektor och vice
versa, fig. 4.
I hackarkopplingar drives transistorn med en
basström, som betydligt överstiger vad som
fordras för att transistorn nätt och jämnt skall
bottna. Man slösar alltså med driveffekten och
får låg effektförstärkning. Förstärkningen
utgör för en transistoromkopplare Pl/Pb där
PL = IK2 ■ Rl utgör den i belastningen
utvecklade effekten och PB = IB ■ UB utgör tillförd
effekt på styrsidan. Dk /jfär lika med B ■ IB, där
B är transistorns likströmsförstärkningsfaktor
(eller då man driver transistorn till hård
bott-ning den utnyttjade likströmsförstärkningen)
kan effektförstärkningen skrivas:
G-B.^ (D
Bottenspänningen UK är i allmänhet mycket
låg jämförd med batterispänningen E, varför
h< " är ungefär lika med E vid bottning.
Därav följer att
G-B.£ (2)
Då den likströmsförstärkningsfaktor som kan
utnyttjas avtar då IB ökas sedan transistorn
börjat bottna, skall man alltså för maximal
effektförstärkning avpassa drivningen så att
transistorn nätt och jämnt bottnar. Denna
punkt kan ganska väl utläsas ur
kollektorkurv-skaran för transistorn.
Kriteriet maximal effektförstärkning används
sällan på en transistoromkopplare bl.a. emedan
spridningen i strömförstärkning från
exemplar till exemplar är så stor, att drivströmmen
skulle få justeras in från fall till fall. Vid
effektomkopplare är kravet på hög
effektförstärkning underordnat kravet på låg
förlusteffekt i transistorn när den arbetar som sluten
kontakt. Sambandet PF = f(Ix) ger en antydan
om transistorns godhet som effektomkopplare.
Här utgör IK den uttagna strömmen och PF
summan av belastningsförlusterna i den slutna
transistorn, dvs.
Pf=Pb + Pk=1BUb+IkUK
Man kan ur diagram över I k — f(Uk) samt en
kurvskara VB = f(U]c) beräkna förlusterna för
olika belastningspunkter. En sådan beräkning
leder till en kurvskara som anger PF som funk-
-o
Fig. 5. Förlusterna PF i en transistor OC 72 som
funktion av basströmmen IB med
kollektorströmmen Ik som parameter. Transistorn arbetar som
sluten kontakt.
139 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
