Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Tillförlitlighet hos transistorer, av T Geoffrey Charles och Dag Hartman
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
ken räkna med ett slutgiltigt värde som är två
gånger det maximalt angivna värdet i
databladet. Som tidigare har angetts så har man
bristande information om tillåtna marginaler vid
långtidsprovning och det är önskvärt att
transistortillverkare publicerar sådana uppgifter
för att underlätta konstruktörens arbete.
Krafttransistorer
Vad som har sagts i det föregående gäller
små-effekttransistorer, dvs. transistorer med en
kol-lektorförlust mindre än 250 mW. I princip
gäller de flesta uppgifterna också för
krafttransistorer. Det finns dock vissa viktiga undantag.
Om småeffekttransistorer används som
små-signalförstärkare och kristalltemperaturerna
hålls låga kan man få en felfrekvens som är av
samma storleksordning som för andra
komponenter av hög kvalitet. Denna felfrekvens är då
ungefär en storleksordning lägre än vad man
kan vänta hos långlivsrör. Så snart
kristalltemperaturen kommer upp i närheten av den
maximalt tillåtna ökar emellertid
felfrekvensen rätt snabbt och blir högre än hos
långlivsrör.
Vid krafttransistorer värmer de relativt stora
effekterna upp kristallen och ger en högre
kristalltemperatur under drift. Dessutom är de
flesta krafttransistorer mekaniskt svaga på
grund av den större kristallen, som ingår i
konstruktionen.
Man är tyvärr tvungen att dra den slutsatsen,
att en krafttransistor måste av sin natur ge en
sämre tillförlitlighet än småeffekttransistorer.
Utnyttjas dess effektmöjligheter till fullo blir
tillförlitligheten ännu mindre.
Användarens erfarenheter
För att utröna vilka erfarenheter användarna
av transistorer i Sverige hittills haft av
tillförlitligheten hos transistorer har Teknisk
Tidskrift låtit göra en rundfråga hos större
förbrukare bl.a. Asea, Försvarets Forskningsanstalt,
Telefonaktiebolaget L M Ericsson, Svenska AB
Philips, Saab, Standard Badio & Telefon AB
och AB Åtvidabergs Industrier. Sammanlagt
representerar dessa företag ett brett
tillämpningsområde, och den erfarenhet som här har
samlats, härstammar från användning av
transistorer i förstärkare och pulskretsar för
industriellt bruk, databehandlingssystem,
telefonstationer, transmissionslänkar och
telefonapparater, regleringsapparatur.
Speciellt har nämnts:
fjärrmätningsutrustning-ar, likspänningsförstärkare, servoförstärkare,
programdon för sifferkalkylatorer (Asea);
telefonapparater med förstärkning för
inkommande tal (för hörselskadade),
högtalartelefo-ner med 11 transistorer och 12 dioder, ett
24-kanals tontelegrafisystem för
amplitudmodule-ring innehållande ca 250 transistorer,
tran-sistoriserade tonsignalmottagare (LME); en
automatisk räknemaskin av siffertyp,
heltran-sistoriserade positionsservosystem, reglerings-
system för automatisk styrning av
luftvärnspjäser (Saab); system för databehandling och
för överföring av mätvärden, indikatorsystem
för radar (Standard Badio);
hålkortsutrustning till Facit EDB80 innehållande ca 1 500
transistorer i buffertminne, kodomvandlare
och styrorgan, magnetbandminne av
karuselltyp, kapacitiv hålremsläsare samt olika
likspänningsaggregat med regulatorer avsedda för
likspänningsmatning av transistoriserade
utrustningar (Åtvidabergs).
Kop p l ings teknik
Som nämnts i det föregående kan man genom
kopplingstekniska åtgärder höja
tillförlitligheten hos apparaturen. Man har sålunda sökt att
i möjligaste mån minska antalet ingående
komponenter och välja och dimensionera kretsarna
så att man kan tillåta stor spridning och
åldring hos transistorerna utan att funktionsfel
erhålles. Man dimensionerar också kretsarna så
att transistorerna kommer att arbeta med
betryggande marginaler. Sålunda söker man
hålla låga spärrskiktstemperaturer (max. 60—
65° C för germaniumtransistorer, 100° C för
ki-seltransistorer). Kollektorspänningar och
kol-lektorströmmar i drift får ej överstiga ca 70 %
av de maximalt tillåtna värden som anges av
tillverkaren.
Direktkoppling mellan stegen undvikes i stor
utsträckning för att minska
temperaturkänsligheten och effektbegränsande skyddsmotstånd
inkopplas i transistorkretsarna där så är
möjligt.
För att upptäcka eventuella svaga länkar
utför man marginalprov på spänning,
temperatur osv. fortlöpande under
konstruktionsarbetets gång.
Överspänningar och skydd mot sådana
Man synes ej ha erfarenhet av att tillfälliga
överspänningar förstör transistorerna, även om
genombrott erhålles. Däremot anser man att
stötenergin, om den överskrider ett visst
kritiskt värde, påverkar transistorns livslängd.
Elektroniska överspänningsskydd införes
överallt där så bedömmes erforderligt. Ett visst
skydd får man redan genom att, som förut
nämnts, transistorernas driftspänningar och
strömmar väljes lägre än de maximalt tillåtna.
Vid AB Åtvidabergs Industrier har man lagt
märke till att misstag och smärre
olyckshändelser som då och då inträffar under
laboratoriearbetet ofta ger upphov till försämrade
data hos transistorerna. För att i möjligaste mån
förhindra sådana händelser har man föreskrivit
att alla lödningsarbeten på transistorkretsar
skall ske med de på etsade kort monterade
kretsarna uttagna ur apparaturen. För
lödningsarbetet användes i stor utsträckning
miniatyrlödkolvar för lågspänning som matas från
isola-tionstransformatorer.
Elektronrör-transistorer
Jämförelser mellan elektronrör och
transistorer har visat att utöver de uppenbara fördelar
122 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
