Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1957, H. 25 - Transistorn som omkopplare i pulskretsar, av Bengt Gunnar Magnusson
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
efterledningen re. Båda är avhängiga av
transistorns diffusionsegenskaper, cox beror på den
ändliga tiden för laddningstransporten från
emitter till bas och re på den i basvolymen
befintliga laddningsmängden13. Gränsfrekvensen
brukar definieras som den frekvens vid vilken
strömförstärkningen för små signaler i
GB-koppling sjunkit 3 dB. Tidkonstanten kan
definieras som den i basen befintliga
hålladdningen Qb dividerad med den emitterade
strömmen IE för IK lika med 0.
Ett typiskt utstyrningsförlopp framgår av
fig. 8. Vid tiden t0 inkopplas en språngström
av storleken IBi i baskretsen och ett
exponen-tiellt insvängningsförlopp av längden T0
erhålles. T0 beror av utstvrningsparametrarna 7ßi
och IK enligt formeln:
To =
1
In
- An) /
/bi
0,9
l*
B K
Från tiden t± till t2 är kollektorströmmen fullt
utstyrd och transistorn bottnar. Vid t2 utstyres
basen i andra riktningen med en språngström
av storleken /ß2. Transistorn bottnar
emellertid fortfarande beroende på att basen är fylld
av hål. En viss tid, efterledningstiden 2\, åtgår
innan basen urladdats. Under vissa förenklade
antaganden erhålles T1 enligt formeln:
T i
I Bi — I Bl
(7)
Efter tiden t3 befinner sig transistorn åter i
normala aktiva regionen och
kollektorströmmen försvinner samtidigt med basströmmen
vid ti efter falltiden T„ som bestämmes enligt
formeln:
Ib 2
T2
(ox (1 — An)
In
1K
BN
\ib2 — 0,1
M
BN)
(8)
Som framgår av ekv. (6) och (7) minskar
T o men ökar Tx med ökande basström — IB i.
Såväl T1 som T2 minskar med ökande lBi
dvs. kraftig uttömning av hålen ur basen.
Beträffande IBi får därför alltid en
kompromiss sökas där ibland även önskade statiska
egenskaper får avgöra storleken. Stora
Tevärden erhålles om drivkretsarna har låg
impedans men begränsas ytterst av
basresistan-sen rB som sålunda bör vara låg hos en god
omkopplingstransistor.
Oftast är T1 den största av dessa tider varför
Te blir transistorns viktigaste dynamiska
parameter. En enkel metod för att bestämma re
innebär att man bestämmer hålladdningen i
basen, fig. 9. Fram till tiden t0 har en
emitter-ström IE flutit och sålunda fyllt basen med hål.
Efter t0 pålägges basen en positiv puls e av
längden T varvid emitterströmmen strypes
genom rördioden. Hålen i basen laddar nu upp
kondensatorn C med ett belopp U. Om
uppladdningstiden är försumbar vid sidan av
hålens livslängd i basen har således basens totala
Fig. 8. Bas- och kollektorströmmarnas förlopp vid
titi- och frånslag av en transistor.
laddning runnit över till C och enligt
definitionen på Te erhålles:
T> =
c-u
Ie
För att kollektordioden skall strypas efter
uppladdningens slut måste man tillse att E är
minst någon voit större än U.
Direktkopplade transistorkretsar14
Om i en enkel direktkoppling, fig. 10 a,
transistorn T± är tillslagen så är enligt fig. 7
spänningen U mindre än 50 mV. Detta betyder en-
Fig. 9. Metod för uppmätning av tidskonstanten re;
upptill koppling, nedtill puls- resp. kollektor
spänningsförlopp.
574 TEKNISK TIOSKRIFT 1957
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
