Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 8. Om halvledare - Halvledarmaterial av N-typ
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Er EA AA
— »
Resistivitet 10
103 l NN ER
10! Nå
NES
2
ANG
-40 -20 [0) +20 + 40 +60C
—>1t
egenledningsförmåga, den är mycket obetydlig vid rumstem-
peratur men ökar vid ökande temperatur. Se fig 802.
Den låga ledningsförmågan hos rent germanium och kisel
vid rumstemperatur kan emellertid avsevärt ökas genom att
man vid framställning av halvledarmaterialet tillsätter s.k. stör-
ämnen.
Halvledarmaterial av N-typ
Halvledarmaterial som tillsättes fosfor, arsenik eller antimon
får i halvledarkristallens atomstruktur infogat atomer som
har en elektron mera än de som germanium- resp. kiselato-
merna har. Denna extra elektron sitter ganska löst bunden
vid sin störatom och frigöres lätt. Det betyder att det i atom-
strukturen kommer att uppträda ett ganska stort antal fria
negativa laddningsbärare.
Halvledarmaterial som på detta sätt genom tillsats av
störämnen, dopning, blivit utrustade med fria negativa ladd-
ningsbärare benämnes halvledarmaterial av N-typ (N=ne-
gativ). Anlägges en spänning över ett halvledarmaterial av
N-typ kommer de fria elektronerna att attraheras mot den
124
Fig. 802
Resistiviteten i ohm-
cm hos ren germa-
nium (Ge) och kisel
(Si) som funktion av
temperaturen.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
