Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 10. Transistorer - Transistorn — elektronröret, likheter och olikheter - Temperaturberoende data
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Rb Rc
Cej)
I
a LD |
N = Er |UVut
ES Rpg 22-10k0 z | u
0
IB=EcE/(Ry>? Rae)
Spänningsvariationerna över R. kan man ta ut via en
kondensator C. som håller likspänningen Ucr borta från
yttre kretsen. Eftersom spänningskällan Ecrp kan förutsättas
ha lågohmig resistans kan man bortse från denna och tänka
sig den ur växelströmssynpunkt ersatt med en kortslutnings-
bygel.
Temperaturberoende data
Ytterligare en olikhet mellan förstärkare med elektronrör och
förstärkare med transistorer bör dras fram: transistorn som
arbetar med laddningsbärare som emitteras vid rumstempe-
ratur är starkt beroende av omgivningens temperatur. Elek-
tronrör däremot arbetar med laddningsbärare som emitteras
från ett glödande katodskikt vid mycket hög temperatur.
Ändringar i omgivningens temperatur medför därför endast
oväsentliga förändringar i antalet laddningsbärare som alstras
i katoden. Däremot kommer relativt små ändringar i om-
givningens temperatur att förorsaka kraftig ändring av an-
talet elektroner resp. hål i en transistor.
Katoden i ett elektronrör arbetar vid absolut temperatur
221000? Kelvin, en ändring på +20? betyder därför en re-
lativ temperaturförändring av endast ca 0,20. För transis-
torn som arbetar omkring 270” Kelvin (= -+20? C) betyder
+20” temperaturförändring ungefär +7 6 ändring i tem-
peraturen och detta medför betydligt större förändringar i an-
talet fria laddningsbärare.
Det ökade antalet laddningsbärare vid ökande temperatur
i en transistor innebär:
98
(000 od
Fig. 1014
På detta sätt kan er-
forderlig förström Iz
erhållas för PNP-
transistor helt enkelt
genom att ett mot-
stånd kopplas mel-
lan basen och kollek-
torspänningskällan.
Då Ip skall vara av
storleksordningen 1
—20 uA blir vid 10
V kollektorspänning
värdet på Rp = 500
kohm — 10 Mohm.
Man kan vid beräk-
ningen av Rp helt
bortse från inverkan
av resistansen hos
basemitterdioden
som ju är förspänd i
framriktningen och
därför har en resis-
tans som är av stor-
leksordning 2—10
kohm.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
