Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 10. Transistorer - Temperaturberoende data - Termisk lavin
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
1 i
ch
iS-
10
1) att bas-emitterdiodens ledningsförmåga i framriktning-
en ökar
2) att kollektor-basdiodens läckning i backriktningen ökar.
Den ökade ledningsförmågan i bas-emitterdioden med-
för inte endast en minskning av denna diods framresistans,
den leder också till att det behövs en mindre basström för
att åstadkomma en viss kollektorström. Det betyder att för-
hållandet mellan kollektorström Ic och basström Ig som be-
nämnes transistorns likströmsförstärkning och betecknas med
hrFE ökar.
Den ökade ledningsförmågan i transistorns kollektorbas-
diod medför att läckströmmen Icpgo i denna diod ökar. Efter-
som läckströmmen IcBzo passerar genom basskiktet kommer
IcBo att fungera som basström för transistorn och därmed får
man en läckström I-p, genom transistorn mellan kollektor och
emitter som uppgår till
Iczeo = IcBo + hrFr IcBo
Här betecknar Arp förhållandet mellan kollektorström Ic och
basström i transistorn. Då hrp håller sig mellan 20 och 300
betyder det att Z-z9, dvs. läckströmmen mellan kollektor och
emitter, är väsentligt större än läckströmmen genom kollektor-
bas-dioden i transistorn.
Vid ökande temperatur kommer sålunda strömmarna ge-
nom en transistor att öka av två orsaker:
Den ökande ledningsförmågan i bas-emitterskikten åstad-
kommer att en viss basström ger en ökad kollektorström.
Den ökade ledningsförmågan i kollektor-bas-skikten åstad-
kommer en ökande läckström IcBzo mellan kollektor och bas
som adderas till basströmmen. Denna ökning ger en star-
kare läckström Icro som adderas till kollektorströmmen [Ic.
Termisk lavin
Den omständigheten att halvledarskikten i en transistor upp-
visar en så starkt temperaturberoende ledningsförmåga utgör
ett riskmoment: genom att ledningsförmågan hos transistorn
tilltar snabbt vid ökande temperatur kan en transistor bli
99
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
