Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 12. Transistorns konstanter - Återverkningsförhållandet - Ekvivalenta schemat
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
5 ]]5S$aa5.H5uj£pgLtffn/MltMtl pip (oden od
Fig. 1206
Grundschemat för
ett GE-steg med an-
slutna = arbetsspän-
ningar och belast-
ningsresistanser.
Som framgår av diagrammet ökar Ah; och h;. med ökande
Ucr-värden under det att A,. och h,. minskar med ökande |
Ucr-värden. |
Ekvivalenta schemat
Parametervärdena h;,, h,., AA; och h,, benämnes transistorns
h-parametrar. De kan användas för att beräkna t. ex. in- och
utimpedanser samt ström- och spänningsförstärkningen i ett
gemensam-emitter förstärkarsteg med transistor, se fig. 1206
Ekvivalenta schemat för ett förstärkarsteg enligt fig. 1206
VISAS 1 fig. L207.
För inimpedansen Z;, i ett förstärkarsteg enligt fig. 1206
och 1207 gäller:
Vin = hj t hehe [ho + (1/ZD1 |
där Z;,, = inimpedansen enligt fig. 1207 och Z, = impe-
dansen för den anslutna belastningen.
För utimpedansen Z,; gäller:
Zut = (ie +tZJ)/[A he ar hoe£gl
För spänningsförstärkningen F, gäller: |
Ej FR Zn VM Eg AD i [LA ls (h;/Z)]
där A he =hie hoe— hje hye och Zy impedansen hos signalkällan.
Observera att F, får negativt förtecken, det innebär att in-
och utspänningarna i förstärkarsteget ligger i motfas.
120
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
