Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 12. Transistorns konstanter - Ekvivalenta schemat - Förenklade formler
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
ET EG EE EU UN NT Re Sm RR ER Ar
l För strömförstärkningen F; gäller:
; 2 TE he ACCES te0 Z)
Som framgår av ovanstående samband inverkar belast-
ningsadmittansen Z, på inimpedansen Z;, under det att sig-
. nalkällans impedans Z, påverkar utimpedansen Z,,. Man
kan säga att transistorn ”släpper igenom” impedanser.
Spänningsförstärkningen är beroende av både belastnings-
impedansen Z; och signalkällans impedans Z,.
Beräkningen av F;s, Zi och Zu för förstärkarsteg med
transistorer blir som synes något mer invecklad än motsva-
| rande beräkning av förstärkarsteg med elektronrör.
| Förenklade formler
| I många praktiska fall kan man emellertid vid beräkning
av Zmn, Zu och F; utgå från vissa förenklande antaganden,
som gör beräkningsformlerna enklare.
i4
> O— —0
Zi
| hie pe | Z
Fig. 1207 u SRA IU2
Ekvivalentschemat | V |
för ett GE-steg en- 3 ER ! |
| — ligt fig. 1206. : BN
k
| ”hje+tAåhe Zj
Un) l+hoe Z|
hjetAhe Z| ae
hje+ Ahe Z| Ahe
Fig. 1208 208 hoe
Inimpedansen = Z;,
som funktion av Z;
hoe för ett GE-steg. RT i 10 2
— Z| ’hoe
Om Z; < 1 kohm blir sålunda för en småsignaltransistor
Lin NN läg
Z;, blir lågohmigare ju högohmigare Z; blir. För det fall att
Z, är extremt högohmig blir
I
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
