Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 14. Fälteffekttransistorn - Pinch-off-området - Brantheten
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
bss — —— i —
5 FARS
ökning av strömmen Ip. I detta område kan fälteffekttransis-
torn betraktas som en strömbegränsare — strömmen bestäms
här nästan enbart av den pålagda negativa förspänningen Ugqg.
Sambandet mellan I, och Ugsg kan beräknas ur följande
formel:
I, = Ipnss [1—(UgGs/Up) ?] (1)
Här betecknar Ipgs det värde på I, som anger mättnads-
strömmen vid Ugg = 0. Se fig. 1407.
Typiska värden på Ipgg ligger mellan 0,1 och 10 mA.
Brantheten
En annan karakteristisk storhet för fälteffekttransistorn är
brantheten eller transkonduktansen g,,. Denna definieras som
förhållandet mellan den ändring I, som förorsakas av en viss
ändring i Ugs om spänningen Ups hålls konstant
Öm ET (CAT GCK AUG) Ups = konst. (2)
Jämför motsvarande uttryck för brantheten S hos ett elek-
tronrör:
S= (ATG AUcGK) U.sK = konst,
138
en
Fig. 1407
På detta sätt bestäms
värdet på Up och
DSS vid Ugas = (0),
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
