Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 14. Fälteffekttransistorn - Brantheten
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 1408
IS Typiska Ip-U ps-kur-
h vor för fälteffekt-
transistor.
parameter.
mA
Isfo
8 db —
Jeg
7 =
gu |
NN
’Ugsg=025V
5 | äl
| UGs =0,50V
40 ;
|
| Ugs=075V
3 a
fe UGS=LOM
2
I Ugg=1,25V
| (- | J
UgGs= 250V
10 20 30 40 50 GO V
—JUps
där AÅ I, = ändringen i anodströmmen för motsvarande änd-
ring i gallerförspänningen A Ugr vid konstant anodspänning
U ar:
Hos en fälteffekttransistor varierar brantheten med den på-
lagda grindspänningen, vid ökande negativ förspänning mins-
kar brantheten. Se fig. 1408. Man kan nämligen med utgångs-
punkt i ekv (1) komma fram till följande samband
2 = Sa MM (Uas/Up)I (3)
Här betecknar g,, värdet på g, vid Usgs = O, ett värde
som ofta anges för fälteffekttransistorer för att karakterisera
deras förstärkningsegenskaper.
Ett approximativt uttryck för g,,, kan erhållas ur
8mo = Ipss / (Up/2) (4)
Typiska värden på g,, för fälteffekttransistorer av småsignal-
typ är 0,1—3,6 mA/V.
139
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
