Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 14. Fälteffekttransistorn - Utgångsresistansen och spänningsförstärkningen
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Utgångsresistansen och spänningsförstärkningen
Utgångsresistansen för en fälteffekttransistor som arbetar inom
pinch-off-området kan (på analogt sätt som utgångsresistansen
för ett elektronrör) tas fram ur fälteffekttransistorns karakte-
ristiska kurvor
R; = (AUps/ AIp) Uas = konst (5)
Eftersom lutningen på I,-kurvorna inom pinch-off-området
är mycket ringa för småsignaltransistorer är det dock ganska
svårt att grafiskt bestämma värdet på R; för dessa.
Spänningsförstärkningen F, i ett med en fälteffekttransistor
bestyckat förstärkarsteg erhålles ur
2 Bo SING
där R, = Dbelastningsresistansen i transistorns ”drain-krets”.
Det angivna sambandet gäller för värden på R, < R,;.
Eftersom en fälteffekttransistor innehåller en PN-övergång
måste man hålla i minnet att backspänningen för PN-över-
gången inte får överskrida genombrottsspänningen.
Eftersom D-elektroden har hög positiv potential i förhållan-
de till S-elektroden under det att grindelektroden ges en viss
negativ potential i förhållande till S-elektroden är det i första
hand spänningen mellan D-elektrod och grindelektrod som
man får hålla ett öga på.
Man får sålunda typiska ”genombrottskurvor” för Ip-Ups-
kurvorna vid höga Ups-värden, se fig 1408 — något som man
inte har någon motsvarighet till vid elektronrör.
Typiskt värde på genombrottsspänningen BUGps är 30 V
—350 V.
Den i fig. 1408 visade I,-Ups-kurvan för en fälteffekttran-
sistor är typisk för många fälteffekttransistorer av småsignal-
typ. Dessa kurvor gäller för en omgivningstemperatur av
+25”C. Vid andra temperaturer erhålles andra I,-Ups-kurvor.
Ipnss Som funktion av temperaturen visas i fig. 1409; g,, som
funktion av temperaturen visas i fig. 1410.
Såväl brantheten g,, som mättnadsströmmen Ip,gs har —
som framgår av kurvorna i fig. 1409 och 1410 — negativ
temperaturkoefficient — ca 0,5 Z6/?C. Detta innebär att fält-
140
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
