Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 14. Fälteffekttransistorn - Utgångsresistansen och spänningsförstärkningen
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 1409
Brantheten g,,, som
funktion av tempe-
raturen för fältef-
fekttransistor.
Fig. 1410
Ipss som funktion
av temperaturen för
fälteffekttransistor.
(RR
uAJV
Im 7200
6400 SÅ
5600
4800 SS
3 DIS
-60 –40 = -20 0 20 40 60 80 100 120C
—> t
effekttransistorn har ett inbyggt skydd mot termisk lavin, i det
att en ökning av temperaturen medför en minskning av ström-
men genom transistorn och därmed också en minskning av
effektutvecklingen i transistorn.
Läckströmmarna Igg, och Ina, ökar med temperaturen. 20”
ökning av temperaturen medför ca 8 ggrs ökning av läckström-
marna. Läckströmmarna är emellertid av storleksordningen
1 nA vid rumstemperatur, varför man i allmänhet kan bortse
från inverkan av dessa.
Man kan delvis kompensera fälteffekttransistorns starka
temperaturberoende genom att använda ett stabiliseringsmot-
| mA
DSS 10
ar
,p
4
-60 +-40 -20 0 20 40 09 - 1 NOTE
—P>Pt
141
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
