Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 14. Fälteffekttransistorn - Utgångsresistansen och spänningsförstärkningen
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
stånd R, i source-kretsen på samma sätt som man använder
ett stabiliserande emittermotstånd för germaniumtransistorer
för att kompensera dessas temperaturberoende. Ju större re-
sistans i R,, ju mera motverkas temperaturdriften. Värdet på
R, kan ökas avsevärt om Egasg polvändes. Se fig. 1411.
För att hindra att signalspänningen motkopplas genom R,
kan man avkoppla R, med en kondensator C, med tillräckligt
låg reaktans vid den aktuella signalfrekvensen.
I kopplingen i fig. 1411 förutsättes, att man har ett separat
batteri Egg för att erhålla positiv Ugg-förspänning. Man kan
emellertid lika gärna ta till en positiv förspänning från Eps-
batteriet via en spänningsdelare över detta batteri. Se fig.
1412. Nackdelen med detta är att man får en viss belastning
över ingångsklämmorna genom att spänningsdelarens länkar
shuntar ingången. Delvis kan man gringgå detta genom en
koppling enligt fig. 1413.
Fälteffekttransistorn uppvisar stor spridning i data mellan
olika exemplar. Sålunda kan I»ss för olika exemplar förhålla
sig som 1:3 eller 1:5. Samma sak gäller transkonduktansen
(= brantheten g,,).
142
Fig. 1411
Genom att ett serie-
motstånd inkopplas
i source-kretsen er-
hålles viss stabilise-
ring mot tempera-
turdrift och sprid-
ning av data hos oli-
ka fälteffekttransis-
torer. Förspännings-
batteriet Eag är pol-
vänt för att motver-
ka spänningsfallet
över R.. Värdet på
R kan då ökas.
S
Fig. 1412
Spänningsdelare
över batteriet Epg
kan användas för att
ge grindelektroden
2rforderlig — positiv
förspänning. «:Där-
med kan värdet på
R. ökas.
ig för 0 100) la]
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
