Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 14. Fälteffekttransistorn - Utgångsresistansen och spänningsförstärkningen - MOS-transistorn
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 1413
För att inte spän-
ningsdelaren R,; +
Ro2 i fig. 1412 skall
belasta ingången kan
förspänningen till
grindelektroden tas
ut på detta sätt. R g3
kan vara högohmig.
Fig. 1414
MOS-transistorns
principiella upp-
byggnad.
0
fr
Fig. 1415
Symbolen för en
MOS-transistor med
a) P-kanal, b) N-
kanal.
Rg3
Eg (av /
:Q a i = Eps
Även spridningen i data kan kompenseras genom att man
kopplar in ett stabiliserande seriemotstånd R, i source-kretsen.
Ju högohmigare R, kan väljas, desto mindre blir avvikelserna
i I, när olika exemplar av fälteffekttransistorer med olika vär-
den på I pgg sätts in i kopplingen.
MOS-transistorn
En variant av fälteffekttransistorn är den s.k. MOS-transistorn
i vilken styrelektroden är helt isolerad från det halvledar-
material som omger fälteffekttransistorns ledande kanal. Se
fig. 1414. Grindelektroden fungerar här som ett kondensa-
torbelägg, och det är det mellan S-elektrod och grindelektrod
pålagda elektrostatiska fältet som styr den ledande kanalens
bredd och därmed strömmen mellan S- och D-elektrod.
MOS är förkortning av M (metall), O (oxid) och S (semi-
conductor, halvledare). Metallbeläggningen är här grindelek-
trodens kondensatorbelägg. O är den isolerande oxid som
skiljer grindelektroden från det underliggande halvledarma-
terialet.
MOS-transistorns verkningssätt anknyter nära till elektron-
rörets i det att styrningen av en laddningsbärarström sker med
ett elektrostatiskt fält. Fig. 1415 visar schemasymbolen för
en MOS-transistor med P- resp. N-kanal.
143
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
