Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 15. Dubbelbasdioden
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Dubbelbasdioden
Dubbelbasdioden är en halvledarkomponent med en uppbygg-
nad enligt fig. 1501. Den kan uppfattas som en diod med två
basmotstånd R,, och R,> kopplade i serie så som visas i fig.
1502. De seriekopplade motstånden R,;, och R,, håller tillsam-
mans resistansvärden mellan 5 och 10 kohm.
I de flesta kopplingar med dubbelbasdiod — som också går
under benämningen unijunction-transistor (= ”enskiktstran-
sistor”, dvs. transistor med endast ett spärrskikt) — är bas nr
I jordad och en positiv förspänning anlägges mellan bas nr 2
och bas nr 1. Se fig. 1503. Så länge ingen emitterström ZI, flyter
fungerar kiselmaterialet som är N-dopat som en enkel spän-
ningsledare så att en viss del av den pålagda spänningen mellan
bas nr 1 och bas nr 2 kommer att uppträda mellan emitteran-
slutningen och bas nr 1.
Så länge denna inre förspänning mellan emitter och bas nr
I är högre än en yttre pålagd spänning Epp, mellan emitter
och bas nr 1 kommer emitterdioden, se fig. 1902, att vara
förspänd i backriktningen. Ingen emitterström ZI, flyter då, en-
dast en liten läckström. Blir emellertid inre spänningen mellan
emitter och bas nr 1 lägre än den pålagda yttre förspänningen
Epp, kommer emitterdioden att bli förspänd i framriktningen,
en emitterström I; kommer då att flyta.
Denna emitterström består huvudsakligen av hål som injice-
ras i kiselskivan. Dessa hål rör sig ner genom skivan från emit-
tern till bas nr 1 och resulterar i en motsvarande ökning av
antalet elektroner i regionen mellan emitter och bas nr 1.
Resultatet är en minskning av resistansen mellan emitter och
bas nr 1. Emitterströmmen ökar då genom att resistansen Ry;
minskar. Inre förspänningen minskar samtidigt som strömmen
emitter-bas 1 ökar: ett lavinförlopp utlöses.
144
KAPITEL 15
Keene
3
AN
Spärrskikt
Fig. 1501.
Dubbelbasdioden är
i princip uppbyggd
på detta sätt. En för-
storing av området i
närheten av kontak-
ten för emittern vi-
sas nederst i fig.
—-— mA AM + I) AA M pr mi (AA AMN mr ja -—
CA om FÄRRT SR lund
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
