Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 16. Om kylning av halvledarkomponenter - Värmeavledning från småsignaltransistorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 1603
Diagram för = be-
stämning av totala
värmeenergiström-
men Pj,, (= totala
Värmeavledning från småsignaltransistorer
Vid småsignaltransistorer för vilka inga speciella kylanord-
ningar utnyttjas överföres förlusteffekten direkt från tran-
sistorhöljet till den omgivande luften. För denna typ av tran-
’ sistorer anges oftast i datablad termiska resistansen R;;, mel-
lan spärrskikt och omgivande luft. Se fig. 1601. Den maxi-
malt tillåtna förlusteffekten P,,, kan i detta fall beräknas ur
Pi = (T; — TJ/Rjj,. Man kan också använda diagram-
met i fig. 1603 för att för olika värden på R;;, få fram P;,
om man känner temperaturerna T; och T,.
Värmeresistansen R,,, anges oftast inte i databladen för
transistorer, detta värde är emellertid intressant att känna till
i vissa fall. Värdet på R,,, för några vanliga transistorhöljen
om man känner temperaturerna T; och T..
förlusteffekten i en Transistor-
halvledarkompo- hölie t Reöha
nent) som funktion IFGAYR
av temperaturdiffe- TO-1 2502C/W
rensen AT med vär- 5
meströmkretsens rTO-3 SN MM
termiska resistans TO-5 100—180? C/W
som parameter. TO-18 400” C/W
05 1,0 20 50 10
(MW) W
Prot (1000) 100— Sö aa (CE (100) (200) — (590) 2
I 20 [EE snar nn sa AN AE LION
50 TA EE vZ 20
Re EE AE /
a ANOS DK
SET TATA TZ CT
Zz jo
/ /
(C]010)) MO] mr ps 2 3 AR 2 —TT-JA1!00
RE AV — / la - 7 been
AREA AA ie LIE DPA ID
Ls LIUPae
[EIA /
TS) AH : Zn
2 nn
bd /
/ Ä
(ID 4 2 3 SAR 20r30E5S01701100 200 300 500 700 1000 ’C
— NOS
151
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>