Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 11. Halvledardioder och halvledarkondensatorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
ningsbärare i materialet. Det kan därför i sådant material uppstå en
elektrisk ström som byggs upp av dessa negativa laddningsbärare.
Halvledarmaterial som på detta sätt genom tillsats av störämnen
blivit utrustade med fria negativa laddningsbärare, benämns halvle-
darmaterial av N-typ (N=negativ). Strömmen genom ett sådant
halvledarmaterial byggs upp av elektroner — men då antalet sådana
fria laddningsbärare i materialet är begränsat, kommer ledningsför-
mågan att bli begränsad och inte så stor som exempelvis i en metall,
där man har betydligt mera elektroner, dvs. negativt laddade ladd-
ningsbärare, till förfogande för strömtransporten.
Halvledarmaterial av P-typ
Man kan också i utgångsmaterialet tillsätta material som bor, alumi-
nium, gallium eller indium. Därvid kommer germanium- eller kisel-
kristallens atomstruktur att få ”störatomer” som har en elektron
mindre än halvledarmaterialets egna atomer. Det betyder att det blir
underskott på elektroner i atomstrukturen, det kommer att fattas lika
många elektroner som antalet tillförda störatomer. Dessa ”hål” efter
elektroner fungerar nu som fria positiva laddningsbärare. Halvledar-
material som på detta sätt genom tillsats av störämnen får fria positi-
va laddningsbärare, hål, benämns halvledarmaterial av P-typ (P=
positiv).
Halvledarmaterial av P-typ fungerar sålunda liksom halvledarma-
terial av N-typ som delvis ledande material. Skillnaden är att
strömmen i halvledarmaterial av P-typ byggs upp av positiva i stället
för negativa laddningsbärare.
”Inbyggd” spänningsbarriär i halvledardioden
Halvledardioder innehåller båda slagen av halvledarmaterial. Se fig.
IHlak
Om vi nu studerar fig. 11.1 närmare finner vi att man i halvledar-
dioden sammanfogat det N-ledande och det P-ledande halvledarma-
143
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
