Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 11. Halvledardioder och halvledarkondensatorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
a) b)
d
Anod Spärrskikt En
=3 —
EE SE AROM
+ /
NE S - "2
SPE (EVEN KAT
OA i ”-O
N e-
Katod Katod
Fig. 11.1 Om ett N-ledande halvledarmaterial sammanfogas med ett P-ledan-
de material uppstår ett spärrskikt i anslutning till sammanfogningsytan.
terialet så att de båda materialen kommer 1 direkt kontakt med var-
andra. När man för ihop de två materialen händer följande: de fria
positiva laddningsbärarna i P-materialet attraheras av de negativa
laddningsbärarna i N-materialet och tvärtom. I första ögonblicket
efter det att materialen fogats ihop kommer det därför att bli ett
snabbt utbyte av fria laddningsbärare mellan de två materialen. Se
fig. 11.1 a. De positiva laddningsbärare som kommer in i det N-ledan-
de materialet ”slår sig ihop” med detta materials negativa laddnings-
bärare så att de två laddningarna neutraliseras. Samma sak sker med
de elektroner som från N-materialet går över till P-materialet: de
neutraliseras av hålen i P-materialet.
Alla fria laddningsbärare kommer sålunda att försvinna i ett gräns-
skikt mellan de två materialen, och det uppstår ett område där det
varken finns positiva eller negativa laddningsbärare. Att inte alla fria
laddningsbärare i N- respektive P-området ger sig iväg över till ”and-
ra sidan” hänger samman med att det i gränsskiktet mellan P- och
N-materialen uppstår en spänningsbarriär, ett s. k. spärrskikt. Se fig.
11.1b. Denna spänningsbarriär orsakas av att när gränsområdet
plundras på fria laddningsbärare, kommer atomerna på P-sidan i
144
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
