Note: This work was first published in 1971, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 15. Att förstärka signaler
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
rande effektnivåer. Transistorer för liten effekt benämns småsignal-
transistorer, transistorer för högre effekt kallas effekttransistorer.
Bland småsignaltransistorer kan man skilja på s.k. bipolära tran-
sistorer och uni polära transistorer. Effekttransistorer är i allmänhet av
bipolär typ.
Den bipolära transistorn
Alla typer av transistorer är uppbyggda av samma slags halvledar-
material, dvs. germanium och kisel, som ingår i halvledardioder och
halvledarkondensatorer som vi behandlade närmare 1 kap. 11. Liksom
1 halvledardioder ingår halvledarmaterial av N-typ och P-typ. I ma-
terial av N-typ är det som vi erinrar oss från kap. 11 negativt laddade
laddningsbärare som deltar i strömtransporten genom materialet. I
material av P-typ är det positivt laddade laddningsbärare — egent-
ligen ”hål” efter elektroner — som åstadkommer strömtransporten.
Den bipolära transistorn är i princip uppbyggd av tre skilda om-
råden av halvledarmaterial som gränsar intill varandra. Vanligtvis an-
vänds en kiselskiva som utgångsmaterial i vilken man genom s.k.
E E
SiO: =E EVAS 2 ZE ff = SiO;
b) 5
Fig. 15.1 Transistorer tillverkas med en kiselskiva som utgångsmaterial i
vilken man genom diffusionsprocesser inför störämnen för N- resp. P-om-
rådena. Halvledarytan skyddas av ett kiseloxidskikt. Si02 som utgör ett ef-
fektivt skydd mot ytpåverkan från luften. Kollektorbeläggning av metall
underst.
I a) visas hur elektroderna för bas och emitterområdena anordnas, elek-
troderna utgörs av metalliseringar mot kiselskivan till vilka a) ledningstrådar
insvetsats. I b) och c) visas en genomskärning av en NPN- resp. PNP-
transistor.
189
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
