Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - H. 26. 26 juni 1956 - Elektronik i kopplingsteknik, av Bertil Bjurel
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
602
TEKNISK TIDSKRIFT
Fig. 2. Minneselement av ferrittyp.
Som andra nackdelar kan nämnas att
strömförbrukningen är långt ifrån försumbar,
manöverspänningarna är höga och det bjuder svårigheter
att få önskvärd driftsäkerhet och livslängd.
Kall-katodröret kan därför ej betraktas som något
idealiskt element inom kopplingstekniken.
Halvledarelementen
Ett revolutionerande framsteg när det gäller
möjligheten att bygga elektroniska
telefonutrustningar togs, när Brattain och Bardeen 1948 vid
Bell-laboratorierna fann en möjlighet att
kontrollera elektrisk energi direkt inuti fast materia
genom uppfinningen av transistorn.
Uppfinningen av transistorn representerar ett av de främsta
vetenskapliga framstegen under 1900-talet.
Även om det blev Brattain och Bardeen
förunnat att ta det steg, som ledde till möjligheten
att kontrollera elektrisk energi direkt inuti fast
materia, måste deras framgång ses som en
fortsättning på de upptäckter inom kvantmekaniken,
som tidigare gjorts av män sådana som Planck,
Einstein, Bohr och Heisenberg m.fl.
Uppfinningen väckte den största sensation, och
i den första berusningen gjordes optimistiska
uttalanden, som kanske de närmaste åren kom att
förefalla något överdrivna. Man hade lyckats
teoretiskt och praktiskt förverkliga ett
förstär-karelement, byggt enbart av fast materia utan
någon som helst glödkatod, men man stötte på
oerhörda svårigheter att tillverka en transistor
med förutbestämda egenskaper, och man
lyckades från början ej få den driftsäker. Under de
åtta år som gått sedan transistorn uppfanns har
ett outtröttligt arbete nedlagts på studiet av det
teoretiska underlaget för transistorer ävensom
av tillverkningstekniken. Nya
tillverkningsmetoder och nya transistortyper har utvecklats, och
man kan nu utan överdrift påstå, att tillförlitliga
transistorer med relativt noggrant
förutbestämda egenskaper i dag kan masstillverkas.
Helt nyligen har vid Bell Telephone
Laboratories i USA utvecklats transistorer, som medger
förstärkning av upp till 500 MHz. De moderna
transistorerna kommer att få stort användnings-
område som förstärkarelement, men man kan
även förutse en omfattande användning av
transistorer som elektroniska kontakter.
Elektroniska kontakter uppbyggda av en eller flera
transistorer uppvisar hög snabbhet och
elektriska data i övrigt som gör dem lämpade t.ex.
som kontaktelement i telefonstationernas
samtalskretsar. Tiden för slutning eller brytning
uppgår till ca 1 ^s. Motståndsvärdet när
transistorn fungerar som sluten kontakt rör sig om 5—
10 ohm, medan motståndet i brutet läge uppgår
till flera megohm.
Även om halvledartekniken nu nått så långt att
fullt tillförlitliga element — lämpade för såväl
förstärkare som för kopplingstekniska ändamål
— är klara, kan man vara övertygad om, att den
fördjupade kunskap som vunnits vid
utformning av dessa element kommer att leda till
utveckling av ytterligare nya typer. Tekniken att
kontrollera elektrisk energiöverföring direkt i
de fasta materielens kristallgitter har utan tvivel
framtiden för sig och kommer med säkerhet att
leda till att den konventionella telefontekniken
överges.
Minneselement
för elektroniska telefonanläggningar
Givetvis fordras för ett automatiskt
telefonsystem utöver lämpliga elektroniska kontakter
och förstärkare även olika typer av
minneselement. Även inom minnestekniken har
utvecklingen gått från utrymmes- och strömkrävande
glödkatoddrivna minnesrör mot element, där
man utnyttjar de fysikaliska egenskaperna hos
fasta ämnen.
Ferriter
Ett element, som under de senaste åren visat sig
särskilt lämpligt som minneselement, är ferriter
med rektangulär hysteresiskurva. Om en sådan
ferrit efter magnetisering i en riktning
magnetiseras i motsatt riktning med en fältstyrka
mindre än koercitivkraften, förblir materialet
magnetiserat i sitt utgångsläge. Minneselement
av ferrit utformas vanligen som små ringar, fig.
2, med någon millimeters diameter och genom
ringen trädes dels en tråd för avläsning av
mag-netiseringsförändringar och dels trådar för
magnetisering av ferriten.
I ett magnetiskt minne är samtliga kärnor
magnetiserade i en bestämd riktning så länge inga
informationer finns magasinerade i minnet. Vid
magasinering av en information ommagnetiseras
en bestämd eller flera bestämda kärnor.
Avläsningen av ett kärnminne tillgår så, att en ström
sändes i sådan riktning genom de kärnor som
skall avläsas att den söker återställa kärnornas
magnetiseringstillstånd till utgångsläget. Om en
minnesuppgift finns inskriven i en viss kärna,
resulterar återställningsströmmen i att kärnans
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
