Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1959, H. 32 - Transistorer — elektronrör, av Bengt Jiewertz
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Spänning — strömområde
För effektändamål är man intresserad av den
största ström och spänning ett rör eller en
transistor kan arbeta vid. Hos en transistor
begränsas den maximala spänningen av
Zener-eller elektronlavinfenomen till ca 100 V, medan
den maximala spänningen för rör kan vara
avsevärt högre. I fråga om strömmar är
transistorn för närvarande begränsad till ca 10 A, dvs.
mycket mindre strömmar än vad ett rör kan
prestera. I ett ström-spänningsdiagram, fig. 2,
kan man ånge det ungefärliga
spänning—strömområde inom vilket tillgängliga typer av
effekttransistorer kan användas2. Den högsta
kontinuerliga förlusteffekten som en sådan
transistor kan tåla är vid mycket god kylning ca
50 W.
Då transistorn i allmänhet ej kan ta upp så
hög förlusteffekt som ett rör, har den
begränsad användning som klass A-förstärkare.
Däremot är den bättre än elektronröret i
omkopp-larkretsar, då den ger lägre
bottningsförlus-ter än ett rör. Den genom omkopplaren nyttiga
uteffekten är mer än 100 gånger så stor som
transistorns förlusteffekt. Om man önskar
kunna ändra uteffekten kontinuerligt, t. ex. vid
hastighetsreglering av en motor, arbetar man
med breddmodulering av pulserna. Något som
måste beaktas vid omkoppling av höga effekter
är de toppeffekter, som uppstår i transistorn i
omkopplingsögonblicket, fig. 3. För ökande
omkopplingsfrekvens ger dessa toppeffekter ett
ej försumbart bidrag till medeleffekten.
Vid användning av en transistor för till- och
frånkoppling av en induktiv last, t.ex. ett relä,
måste kretsen dimensioneras så, att de höga
spänningstopparna vid frånslag ej vållar
genomslag i transistorns spärrskikt. Denna
känslighet för momentana överspänningar är en
uppenbar nackdel hos transistorn. Likriktarna
för transistorkretsar måste av denna anledning
utföras så, att inga överspänningar når
transistorerna vid till- och frånslag av apparaterna
eller genom nätet.
Temperatursynpunkter
För transistorns spärrskikt maximeras
arbetstemperaturen, för germaniumtransistorer till
ca 70°C och för kiseltransistorer till ca 200°C.
Detta begränsar den omgivningstemperatur, vid
vilken transistorerna kan arbeta. För rör
föreskrivs en högsta kolvtemperatur, ca 250°C, för
erhållande av lång livslängd, vilket måste
beaktas vid apparatkonstruktion.
Då rör arbetar med katodtemperaturer kring
1000°C, underlättas kylningen genom att
värmet i röret till stor del bortföres till
omgivningen genom strålning. För effekttransistorer
måste det mesta alstrade värmet bortföras
genom värmebortledande stomdetaljer. En
effekttransistors maximala förlusteffekt beror
därför av värmesänkans termiska resistans och
omgivningstemperaturen, fig. 4. Då man tillför
rörsystem högre effekter än transistorsystem,
Fig. 2.
Arbetsområde i
spän-ning-strömdia-gram för
nuvarande typer av [-effekttransis-torer.-]
{+effekttransis-
torer.+}
medför detta för de förra att kylsystemet måste
dimensioneras för borttransport av större
värmemängder.
En stor nackdel hos transistorn är
parametrarnas starka temperaturberoende.
Läckström-men ökar med ca 7 % per °C, och
arbetspunkterna förskjuts genom karakteristikförskjutning
ca 2 mV/°C. Den kretstekniska stabiliseringen
av t.ex. en förstärkare, arbetande inom det lin-
Fig. 3. Schematiska diagram för
kollektor-emitter-spänning, kollektorström och förlusteffekt som
funktion av tiden för en transistor i en omkopplingskrets.
Den momentana förlusteffekten under
omkopplingsmomentet kan vara mer än tio gånger så stor som
förlusteffekten vid bottning.
796 TEKNISK TIDSKRIFT 1959
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
