- Project Runeberg -  Teknisk Tidskrift / Årgång 90. 1960 /
95

(1871-1962)
Table of Contents / Innehåll | << Previous | Next >>
  Project Runeberg | Catalog | Recent Changes | Donate | Comments? |   

Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Linjära förstärkare med transistorer, av Ragnar Forshufvud och Per Olof Leine

scanned image

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Below is the raw OCR text from the above scanned image. Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan. Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!

This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.

//? o

o Ut

o Ut

Fig. 2. Typer av basmatning: t.v. normal resistanskoppling, i mitten drossel-, t.h. transformatorkoppling.

handlas mera utförligt i slutet av detta
kapitel, jämte inverkan av variationer i UBj.

Brantheten

Transistorn har i stort sett pentodkaraktär,
dvs. dess kollektorström är endast i ringa grad
beroende av kollektorspänningen. Ett
användbart mått på dess förstärkande förmåga är
därför brantheten, y21 (motsvarar S för rör)
definierad som strömändringen för en viss
liten ändring av ingångsspänningen. Brantheten
erhålles ur ekv. (2) genom derivering till

P*-konst

e~äub=QlK (4)

Den är således inom vissa gränser
proportionell mot kollektorströmmen (ända tills inre
basresistansen upptar ett tämligen stort
spänningsfall och UB i ekv. (2) modifieras). Vid
måttliga strömmar är brantheten lika stor för
alla transistorer av normal typ. Den uppvisar
föga spridning och har förhållandevis lågt
temperaturberoende.

In admittansen

En fraktion, l/h,ie = S, av emitterströmmen
(h2ie är strömförstärkningsfaktorn i
gemensam emitter-koppling), når ej kollektorn utan
går ut i basen. För att driva en viss
kollektorström, fordras således förutom en viss
basspänning även en viss basström. Denna bör
betraktas som ett icke önskvärt bifenomen och
kan jämföras med läckströmmen i en
kondensator.

Den som väntar på att transistorns spridning
med avseende på <5 skall bli liten kommer att
få vänta förgäves. Tendensen är i stället en
minskning av <5. Vid transistorer med mycket
lågt $ kan man helt bortse från basströmmen,
och transistorn liknar då i hög grad ett rör.
Samtidigt förlorar spridningen i 5 sin
praktiska betydelse.

Inadmittansen, yu, kan tecknas såsom kvoten
mellan en liten ändring i ingångsström och
motsvarande ändring i ingångsspänning:

yi



\dUB’ UB = konst.

(5)

Basmatning

Då basen behöver både ström och spänning
för injustering av arbetspunkten, måste
transistorn förses med ett lämpligt
basmatnings-nät. Detta kan utföras på ett flertal olika sätt
och vanligast är resistiv spänningsdelning,
fig. 2 t.v. Spänningsdelaren måste ha
tillräckligt låg resistans för att kunna ge en
någorlunda konstant spänning även då den
belastas av basströmmen. Basströmmen flyter
vid låga temperaturer ut ur basen men kan
vid höga temperaturer på grund av höga
läckströmmar ändra riktning. Har å andra sidan
detta resistiva nät mycket låg resistans,
kommer det att sluka signalenergi, vilket är
liktydigt med en yttre ökning av S. Här möter
vi tydligen en motsättning mellan stabilitet
och förstärkning.

För att undvika en förlust av signalenergi,
kan en drossel inlänkas mellan transistorn och
basmatningsnätet enligt fig. 2 i mitten.
Växelström av tillräckligt hög frekvens för att ge
drosseln hög impedans tvingas av denna att
välja vägen genom transistorn. I många fall
kan man här undvara emitteravkopplingen
utan större förstärkningsförlust, om
föregående drivning är högimpediv.

En koppling med en fulltransformator, fig. 2
t.li., betingar ett högt pris men den ger även
samtidigt högsta förstärkning, eftersom man
kan utföra anpassning för maximal
effektöverföring.

Spänningsdelaren i fig. 2 i mitten och t.h.
kan väljas hur lågresistiv som helst utan att
förstärkningen sänkes. Här är det i stället
strömförbrukningen som sätter den praktiska
gränsen.

Motkoppling

Transistorn är i likhet med röret ett
icke-lin-järt element. Olineariteterna blir särskilt
framträdande vid transistorer, något som är en
följd av den höga totalverkningsgraden. För
att uppnå linearitet utnyttjar man
motkoppling. Därvid avkännes en utgående storhet —

95 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Project Runeberg, Fri Oct 18 15:56:35 2024 (aronsson) (download) << Previous Next >>
https://runeberg.org/tektid/1960/0121.html

Valid HTML 4.0! All our files are DRM-free