Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Linjära förstärkare med transistorer, av Ragnar Forshufvud och Per Olof Leine
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 13. Transistor,
arbetande i ren
klass D, givande
mycket hög
kollek-torverkningsgrad
men låg övre
gränsfrekvens.
Genom att transistorn köres alternativt i
bott-ning respektive i öppet tillstånd, kommer den
att uppta mycket liten förlusteffekt.
Induktansen L har till uppgift att glätta den
pulserande likströmmen till en förhållandevis jämn
likström. Genom att variera det strömförande
intervallet kan man styra den utgående
likströmmen. Denna arbetsprincip är attraktiv
för stabiliserade likspänningsaggregat, fig. 14.
Den utgående spänningen avkännes och
jämföres med en referens-spänning, och
differensen får styra ett trigger-steg, vilket matar
regleringstransistorn.
Snabbheten hos denna typ av koppling
blir starkt begränsad av induktansen L, men
om repetitionsfrekvensen göres mycket hög,
kan L väljas förhållandevis liten. Kopplingen
kan användas för tonfrekvensförstärkning, om
referensspänningen Ez i fig. 14 ersätts med en
insignal. Begränsningen i snabbhet är den
uppoffring, som vi får göra, för att bringa ned
förlustintegralen. Denna typ av förstärkare
kan bära försvinnande liten "reaktiv effekt".
kan endast användas i de sällsynta fall, då
det gäller att konstruera en enda apparat, som
alltid skall arbeta vid rumstemperatur (och
alltså är helt skyddad för exempelvis
soluppvärmning). Eftersom temperaturberoendet
aldrig är känt i detalj och dessutom varierar
från exemplar till exemplar, måste man, sedan
man gjort en grovberäkning av
konstruktionens beteende inom det temperaturområde,
där den skall arbeta, lägga på en viss
säkerhetsmarginal.
Alla egenskaper hos en transistor är
temperaturberoende, och en transistorförstärkare
ändrar därför sin förstärkning, om
temperaturen ändras. I många fall är det inte så
väsentligt att förstärkningen hålles konstant, t. ex.
vid vanliga rundradiomottagare, där en
ändring i förstärkning lätt kompenseras, dels
genom den automatiska, dels genom den
manuella volymkontrollen. Vad som emellertid under
alla omständigheter är väsentligt är lios ett
klass A-steg att arbetspunkten håller sig kvar
inom det aktiva området, dvs. att transistorn
matas med sådan ström och spänning, att den
behåller sin förmåga att förstärka. Vid
förstärkning av stora signaler skärps detta krav,
eftersom en olämplig placering av
arbetspunkten medför att steget överstyres på ett
alltför tidigt stadium.
Vid klass B-steg är det nödvändigt att
vilo-strömmen hindras från att variera alltför
starkt med temperaturen.
Vid piilstillämpningar åter är målet närmast
att se till att transistorn uppnår sina två
ytterlägen med tillräcklig säkerhet.
Av det sagda framgår att
temperaturberoendet hos de parametrar, som påverkar
transistorns likströmsinställning, är av stort intresse.
I stort sett härrör temperaturberoendet från
tre orsaker.
Temperaturproblem
Förr eller senare stöter alltid en konstruktör
på temperaturproblem av olika slag.
Temperaturberoendet tillsammans med transistorns
åldring och spridningen i dess egenskaper gör
att man måste varna för det slags
konstruktionsarbete, som består i att man löder ihop
något på laboratoriebänken och känner sig
nöjd, om kopplingen fungerar. Denna metod
o Ut
Fig. 14. Reglerat likspänningsaggregat i klass D. Ersättes
referens-spänningen Ez med en insignal, erhålles en linjär förstärkare i klass D.
KoUektordiodens läckström Ikbo
Enligt den fundamentala transistorteorin ökar
Ikbo i stort sett enligt en exponentiell funktion
(ungefär en fördubbling för var åttonde "C,
fig. 31). I praktiken förekommer ofta mindre
starkt temperaturberoende läckströmmar på
transistorns yta, varför Ikbo-s
temperaturberoende minskar något. Såvitt känt kan dock
temperaturberoendet inte bli starkare än det,
som angivits i figuren.
Spänningsfallet bas-emitter, UB
Vid en given emitterströin minskar
absolutbeloppet av UB med 2—2,5 mV/°C.
Temperatur-beroendet varierar något för olika strömmar,
men är i stort sett detsamma för olika
transistortyper och olika transistorexemplar.
Totala strömförstärkningsfaktorii h.lE
Man har inte lyckats att på teoretisk väg
beräkna detta temperaturberoende; man måste
mäta Ijc som funktion av IB vid olika
temperaturer, fig. 15. Temperaturberoendet hos
(likströmskvot) är särskilt besvärande i de
fall, då hnE sjunker till låga värden, dvs. vid
127 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
