Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Linjära förstärkare med transistorer, av Ragnar Forshufvud och Per Olof Leine
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
låga temperaturer. Vid temperaturer över 0°C
gäller att hllE är ungefär lika med hne
(små-signalkvot), vid låga temperaturer är däremot
ofta hllE betydligt mindre än hne. Man bör
alltså inte vid dimensioneringen helt lita på
mätningar av temperaturberoendet hos
småsignal-parametern h!ie. Samtliga de tre nämnda
fenomenen samverkar på sådant sätt att
transistorns ström ökar vid högre temperaturer.
Inom ett och samma temperaturområde blir
temperaturproblemen olika för
germanium-och kiseltransistorer. Vid måttliga
temperaturer kan sålunda i regel Ikbo försummas hos
ki-seltransistorn, varför dess
temperaturberoende helt bestäms av VB och hllE. Om
kiseltran-sistorn emellertid används i närheten av den
maximalt tillåtna temperaturen, kommer även
Ikbo att spela en betydande roll. På det hela
taget kan man säga att skillnaden mellan
germanium och kisel inte är så stor, om man
endast tänker sig att temperaturskalan i ena
fallet är förskjuten. Vid rumstemperatur
uppträder sålunda kiseltransistorn i stort sett som
en mycket kall germaniumtransistor (låga
läckströmmar, låg strömförstärkning, hög
bottenspänning).
När vi känner temperaturberoendet hos de
parametrar som inverkar på arbetspunkten,
har vi möjlighet att beräkna hur strömmen
varierar med temperaturen i ett praktiskt
transistorsteg. För en noggrann beräkning har vi
tillgång till Gibsons formel för
arbetspunktens temperaturberoende.
aie = sE + yIEA t+\ IKB0° | Af\ (11)
där /E är emitterströmmen, AIE
emitterström-mens ändring i temperaturintervallet AT, ■& =
— SUB/åT bas-emitterspänningens
temperaturberoende, Eb basresistansen (inkluderande
transistorns inre basresistans), y = èh,lB/àT,
F Ikbo’* temperaturfaktor, AF ändringen i F
inom temperaturintervallet, | Ikbo°\ = jkbo vid
undre temperaturgränsen (absolutvärdet har
här liksom i några senare fall införts för att
man därmed lättare kan på samma sätt
behandla såväl pnp- som npn-transistorer) samt
E är en stabilitetsfaktor, definierad ur
Jk
mA
S£ =
1
Re | 1
Rb ll2\e eff
(12)
Re är emitterresistansen (inkluderande den
differentiella emitterresistansen l/y^) samt
hue eff den effektiva strömförstärkningen
mellan bas och kollektor (oftast = h^)-
För en praktisk uppskattning av
arbetspunktens temperaturberoende är det ofta
tillräckligt att tillämpa följande tankegång.
Variationerna i Ikbo betraktas som en strömgenerator
mellan transistorns kollektor och bas.
Variationerna i VB betraktas som en spänningskälla
i serie med basen, fig. 16.
Om det yttre basmatningsnätet är mycket
låg-resistivt, kan man bortse från inverkan av
Ikbo- Är å andra sidan resistansen mycket
/aA
J.
Fig. 16. De termiska
felkällorna kan
representeras av en
ström-och en
spänningsgenerator.
Fig. 15.
Överföringsfunktion
I k —F(Ib) vid
olika
temperaturer för
germaniumtransistor.
stor, blir UB:s variationer betydelselösa. Vid
måttliga värden på den yttre basresistansen
är det ofta bekvämt att betrakta Ikbo som
något som påverkar värdet av spänningen U BJ
(fig. 1 och ekv. (3)).
Slutligen återstår variationerna i hilE. Vid
ett normalt stabiliserat nät, uppbyggt enligt
fig. 2, spelar det ingen roll, om huE skulle
stiga mot oändligheten. Emitterströmmen närmar
sig då ett asymptotiskt värde som bara
avviker från det praktiskt uppnådda med några
procent. Undersökningen av inverkan av hllE:s
temperaturberoende kan därför många gånger
inskränkas till en undersökning av huruvida
det yttre basspänningsnätet är i stånd att utan
större spänningsfall leverera den basström,
som fordras vid lägsta förekommande värde
på htlE. Om apparaten är avsedd att endast
användas vid temperaturer ovanför
rumstemperatur, behöver endast åldringen och
spridningen beaktas. Skall den däremot användas vid
temperaturer under fryspunkten, måste man
räkna med tämligen låga värden på h.lE.
Temperaturberoendet hos hilE framgår tyvärr
sällan av fabrikantens datablad.
Termisk strömrusning
Hittills har vi endast behandlat transistorns
egenskaper som funktion av
kristalltemperaturen. Vi skall nu ägna någon uppmärksamhet
102 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
