Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Transistorn i pulskretsar, av Gerhard Westerberg
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 13. Vippkopplingar med transistorer, t.v. bistabil, t.h. monostabil.
blockingoscillatorn bör ge svar på följande
frågor:
Hur beror pulsbredden T på transistorns
egenskaper, transformatorns egenskaper,
belastningen och repetitionsfrekvensen?
Hur hårt kan oscillatorn belastas under olika
betingelser?
Vilka in- och utsvängningstider erhålls?
Hur stor energi eller ström fordras för
trigg-ning?
För pulsbredden T kan härledas uttrycket
Detta gäller för en koppling enligt fig. 11 om
njriz = L utgör transformatorns
primärinduk-tans, B transistorns likströmsförstärkning, RB
Fig. 14. Komplementär emitterföljare där
impedansen pd utgdngssidan är oberoende av ät vilket håll
spänningen pd ingångssidan ändras.
serieresistansen i baslindningen samt Rl
be-lastningsresistansen.
Vi ser här att pulstiden vid höga
belastnings-resistanser är nästan proportionell mot
strömförstärkningen, vilket är ganska olämpligt
eftersom B varierar avsevärt från transistor
till transistor. En annan nackdel med denna
koppling är att om B för någon transistor
råkar vara mycket stor, kommer kollektorn ej
att "lossna", förrän vid en mycket hög ström,
vilket kan skada transistorn. (I själva verket
brukar transistorerna i en koppling enligt fig.
11 ofta gå sönder.) Till kopplingens försvar
kan anföras, att den ger en formel för T varur
man lätt kan beräkna maximala belastningen,
dvs. minsta värdet på Rl. Om man minskar RLt
kommer sista termen i uttrycket för T att öka
och T att minska. När T är lika med noll har
man nått maximal belastning som för en
omsättning i transformatorn njn2 = 1 ger
Rlniin —■
Rh
B
För att skydda transistorn mot överbelastning
måste man seriekoppla transformatorns
primärlindning med ett motstånd r, fig. 12. Man
kan naturligtvis i fall där man ej ställer alltför
stora krav på pulsformen låta belastningen
ingå i skyddsmotståndet r. Vare sig man har
skyddsmotstånd eller ej blir pulsbredden T
mycket beroende av transistorns förstärkning
om man ej vidtar speciella åtgärder.
Eftersom det är magnetiseringsströmmens
tidsberoende som bestämmer T, kan T
stabiliseras genom att man använder en
transformatorkärna med fyrkantig magnetiseringskurva.
Så länge ommagnetiseringen av en sådan kärna
sker längs flankerna, är
magnetiseringsström-men Im ganska konstant. När hela kärnan
om-magnetiserats ökar magnetiseringsströmmen
plötsligt, varvid transistorn upphör att leda
under det tämligen väl definierade ögonblick
när kärnan mättas. Den tid det tar för en
fyrkantkärna att ommagnetiseras från sitt ena till
sitt andra mättningstillstånd är helt bestämd
av kärnans egenskaper och pålagd spänning.
Med fyrkantsformad spänning erhålls för
kopplingen enligt fig. 11
T =
ni <t>
Fig. 15. Koppling med en npn-transistor T, och en
pnp-transistor T,.
där utgör kärnans totala flödesändring vid
ommagnetiseringen, nL varvtalet på
primärlindningen samt E batterispänningen. Observera
att fyrkantkärnan måste återställas efter varje
pulsering. Detta sker lämpligen med en
för-strömslindning.
Transistorernas spänningskänslighet medför
ett speciellt problem i
blockingoscillatorkopp-lingar. På pulsens bakkant får man på grund
av att magnetiseringsströmmen ej kan upphöra
momentant en översvängning, som naturligtvis
även återfinns övertransformerad till bassidan.
Amplituden av backspänningarna på bas och
kollektor adderas till batterispänningen så att
transistorn momentant utsätts för en spänning
143 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
