Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Transistorn i pulskretsar, av Gerhard Westerberg
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
mellan kollektor och bas som kanske är 4—5
gånger större än batterispänningen. Då
backspänningen är proportionell mot den
magne-tiseringsström som erhölls under pulstiden T,
blir spänningen lägre när man använder
skyddsmotstånd r (magnetiseringsströmmen
kan här aldrig bli större än E/r).
Backspänningen kan helt begränsas om inan kopplar en
klippdiod över primärlindningen. Denna metod
för begränsning av reaktiva spänningstoppar
medför dock även att den högsta möjliga
repetitionsfrekvensen blir begränsad, emedan ett
nytt förlopp ej (utan vissa besvär) kan
påbörjas förrän magnetiseringsströmmen från det
föregående dött ut. Eftersom ytan under
kurvan för översvängningen är konstant kan detta
ta rätt lång tid när amplituden begränsas med
en diod.
Vippkopplingar
De flesta från rörtekniken kända
vippkopplingarna förekommer även i
transistor-utföran-de, fig. 13. Kopplingens funktion beskrives ej
i detalj då principen för motsvarande
rörkopplingar förutsätts känd. Den bistabila vippan
kan med yttre pulser ställas i ett av sina två
stabila lägen, varav man brukar definiera det
ena som "nolläget" och det andra som
"ettläget". Den monostabila vippan kan tillfälligt
bringas ur jämvikt med en yttre puls som
tenderar att strypa den högra transistorn i fig.
15 b eller tenderar att bringa den vänstra till
ledande tillstånd. Den återtar dock
jämviktsläget efter en tid som är bestämd av R och C
enligt formeln
T = RC ln 2
Npn-pnp-kopplingar
Som har nämnts i inledningen har
emitterföl-jare med npn-transistorer ungefär samma
egenskaper som katodföljare i rörkopplingar. En
komplementär emitterföljare, fig. 14, ger låg
utgångsimpedans oberoende av inspänningens
variationer beroende på att när den ena
transistorn tenderar att strypas så tar den andra
vid ocli leder "hårdare". Den enkla
emitterföl-jaren eller katodföljaren får däremot hög ut
impedans när basen (gallret) stryps. Npn- ocli
pnp-transistorernas komplementära
egenskaper möjliggör enkla vippkopplingar.
Npn-pnp-kombinationen i fig. 15 kan göras monostabil,
bistabil eller astabil, beroende på hur
belastningen på ingångssidan väljs.
Med positiv spänning Vpå T^-.s emitter är
denna transistor strypt. Till basen på T„ flyter
då 2\:s kollektorläckström IKR. T, :s
kollektor-ström ökar och dess kollektorspänning sjunker
när Uin närmar sig strypgränsen för 2\. Den
ökade kollektorströmmen från T1 till T„:s bas
medför, att T2:s kollektorström ökar och att
T„:s kollektor tenderar att dra T1:s bas ännu
närmare strypgränsen. Vid lämplig belastning
på ingångssidan erhålls ett kumulativt förlopp,
Fig. 16.
Ström-spänningskurva för
npn-pnp-lcopplingen i fig.
15; 1 samtliga dioder
strypta, 2
emitterdio-derna leder och
kol-lektordioderna är
strypta, 3 samtliga
dioder leder.
som resulterar i att båda transistorerna blir
effektivt ledande.
Man får en ingångskarakteristik med tre
re-sistansområden, fig. 16. Belastad med ett
motstånd och en kondensator, fig. 17, blir
npn-pnp-kopplingen astabil med en svängningstid
RC ■ ln 2
Man kan låta transistorerna i
npn-pnp-kopp-lingen utgöra en enhet varvid man får
fyrlager-transistorer (npnp-transistorer).
Beträffande snabbheten för
npn-pnp-kopplingar kan sägas, att de har längre
frånslags-tid från ledande till oledande tillstånd än
tillslagstid från strypt till ledande tillstånd,
beroende på att basskikten i ledande tillstånd
fylls med laddningsbärare, som ger en viss
efterledning.
Maximaldata
Då transistorn används som omkopplare, blir
förlusteffekten i transistorn en bråkdel av den
omkopplade effekten. Små (50 mW)
transistorer kan under gynnsamma betingelser
användas för omkoppling av belastningseffekter på
flera watt.
Endera av följande tre faktorer begränsar den
maximalt omkopplingsbara effekten:
kontakternas smältpunkt, genomslag av
kollektorspän-ningen, när transistorn är strypt eller labil
temperaturökning på grund av läckströmmar-
Fig. 17. Multivibrator med en npn-pnp-transistorkombination; t.v. kopp
ling, t.h. strömspänningskurva med en inlagd belastningslinje motsva
rande belastningsmotståndet R som ger en ostabil koppling.
118 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
